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矽源特MXD2060K是VDS=20V, ID=60A,RDS(ON)(Typ.)=6.2mΩ@VGS=2.5V的N沟MOS

融心网3年前 (2022-07-16)63
矽源特MXD2060K是VDS=20V, ID=60A,RDS(ON)(Typ.)=6.2mΩ@VGS=2.5V的N沟MOS
MXD2060K Description: The MXD2060K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as l...

矽源特MXT08N04T是40V,400A,RDS(ON)(Typ.)=1.1mΩ@VGS=4.5V的N沟道MOSFET.

融心网3年前 (2022-07-16)69
矽源特MXT08N04T是40V,400A,RDS(ON)(Typ.)=1.1mΩ@VGS=4.5V的N沟道MOSFET.
MXT08N04T概述: MXT08N04T是40V,400AMXC,RDS(ON)(Typ.)=1.1mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON)(Typ.)=0.85mΩ @ VGS=10V的N沟道增强型功率MOSFET. MXT08N04T提供TOLL-8L封装. The MXT08N04T u...

矽源特MX8203是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)(Typ.)16mΩ,@VGS=4.5V的N沟道MOSFET.

融心网3年前 (2022-07-16)53
矽源特MX8203是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)(Typ.)16mΩ,@VGS=4.5V的N沟道MOSFET.
矽源特MX8203概述: MX8203是VDS=20V,ID=6AMXC,RDS(ON)(Typ.)16mΩ,@VGS=4.5V,RDS(ON)(Typ.)21mΩ,@VGS=2.5V的N沟道MOSFET. MX8203提供SOT23-6封装. The MX8203 uses advanced tr...

矽源特MX8205L是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)(Typ.)=16mΩ,@VGS=4.5V的N沟MOSFET

融心网3年前 (2022-07-16)79
矽源特MX8205L是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)(Typ.)=16mΩ,@VGS=4.5V的N沟MOSFET
矽源特MX8205L概述: MX8205L是VDS=20V,ID=6AMXC,RDS(ON)(Typ.)=16mΩ,@VGS=4.5V,RDS(ON)(Typ.)=17mΩ,@VGS=3.8V,RDS(ON)(Typ.)=21mΩ,@VGS=2.5V的N沟道MOSFET.MX8205L提供SOT-2...

矽源特MX2305是VDS=-20V,ID=-4A,RDS(ON)(Typ.);38mΩ@VGS=-4.5V的N沟道MOS.

融心网3年前 (2022-07-16)94
矽源特MX2305是VDS=-20V,ID=-4A,RDS(ON)(Typ.);38mΩ@VGS=-4.5V的N沟道MOS.
MX2305概述: MX2305是VDS=-20VMXC,ID=-4A,RDS(ON)(Typ.)<38mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)(Typ.)< 54mΩ@VGS=-2.5V的N沟道MOS. MX2305的丝印是3415E.MX2305提供SOT23-3封装MXC。 The...

矽源特MX6058是VDS=60V,ID=8A,RDS(ON)(Typ.)13m?@Vgs=10V的N沟 MOSFET.

融心网3年前 (2022-07-16)70
矽源特MX6058是VDS=60V,ID=8A,RDS(ON)(Typ.)13m?@Vgs=10V的N沟 MOSFET.
矽源特MX6058概述: MX6058是VDS=60VMXC,ID=8A,RDS(ON)(Typ.)13m?,@Vgs=10V的N-Channel MOSFET.MX6058提供SOP-8封装. The MX6058 uses advanced trench technology and desig...

矽源特-MX8205是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)(Typ.)=20mΩ@VGS=4.5V的N沟通MOS

融心网3年前 (2022-07-16)51
矽源特-MX8205是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)(Typ.)=20mΩ@VGS=4.5V的N沟通MOS
矽源特-MX8205 DESCRIPTION: MX8205是VDS=20V,ID=6A,RDS(ON)(Typ.)=20mΩ@VGS=4.5V的N沟通MOSFET,MX8205丝印:8205,MX8205提供SOT23-6封装MXC。 The MX8205 uses advanced trench...

矽源特MXN3342是VDS=30V,ID=35A,RDS(ON)(Typ.)=10mΩ的N-Channel MOSFET.

融心网3年前 (2022-07-07)165
矽源特MXN3342是VDS=30V,ID=35A,RDS(ON)(Typ.)=10mΩ的N-Channel MOSFET.
矽源特MXN3342概述: MXN3342是VDS=30V,ID=35AMXC,RDS(ON)(Typ.)=10mΩ,@VGS=4.5V,RDS(ON)(Typ.)=6.5mΩ,@VGS=10V的N-Channel MOSFET.MXN3342提供DFN3X3-8L封装. The MXN3342 u...

矽源特MXN3388L是VDS=20V, ID=8A,RDS(ON) =15.5mΩ @VGS =2.5V的双N沟道MOS

融心网3年前 (2022-07-07)169
矽源特MXN3388L是VDS=20V, ID=8A,RDS(ON) =15.5mΩ @VGS =2.5V的双N沟道MOS
MXN3388L概述: MXN3388L是VDS =20V, ID =8A,RDS(ON) (Typ.)=15.5mΩ @ V GS =2.5V,RDS(ON) (Typ.)=10.6mΩ @ V GS =3.8V,RDS(ON) (Typ.)=10mΩ @ V GS =4.5V的双N沟道MOSFE...

矽源特MX3415L是VDS=-20V, ID=-4A,RDS(ON) (Typ.)=42mΩ的P沟道MOSFET.

融心网3年前 (2022-07-07)137
矽源特MX3415L是VDS=-20V, ID=-4A,RDS(ON) (Typ.)=42mΩ的P沟道MOSFET.
矽源特MX3415L概述: MX3415L是VDS=-20V, ID=-4AMXC,RDS(ON) (Typ.)=42mΩ@VGS=-2.5V,RDS(ON)(Typ.)=32mΩ@VGS =-4.5V的P沟道MOSFET. MX3415L提供SOT23封装MXC。 The MX3415L uses...